【分析】短期内IGBT依然占据功率器件市场主流

摘要: 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种兼具双极结型晶体管(BJT)通态压降小、电流密度高和金属-氧化物-半导体

09-18 09:41 首页 赛迪顾问

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种兼具双极结型晶体管(BJT)通态压降小、电流密度高和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)驱动功率小、开关速度快、输入阻抗高等特点的功率开关器件。IGBT芯片在结构上由数万个重复单元(元胞)组成,其高频、高电压、大电流的优良特性使得其发明后被迅速用作大功率开关,是AC/DC转换、变压/变流装置中的核心器件。


在新能源汽车中,IGBT是电池与驱动电机、空调系统、车载信息系统、安全系统、启停能量回收系统之间能量转换的桥梁。尤其在600V-1200V高压大功率DC/AC逆变和DC/DC转换中,IGBT发挥着不可替代的作用。


高效的能量转换能降低能量损耗,降低所需锂离子电池容量,从而降低整车重量,提高电动车单次充电后的续航里程。在纯电动汽车中,IGBT还是充电桩与车载电池之间AC/DC转换的关键功率器件。2015年,全球共生产了55万辆新能源汽车和约35万个充电桩。随着各国新能源汽车政策的落实、汽车企业新能源汽车产品规划的实施,电动车销量将迎来大幅增长,配套的充电装置也将进入密集建设期。预计2 0 2 0年,新能源汽车用IGBT占全球IGBT市场的比例将提升至3 7%,达到16.7亿美元。


SiC基MOSFET器件具有比IGBT更快的开关速率、更小的系统体积、更优的高温性能和节能特性,未来将占领IGBT器件的部分市场份额。目前丰田等公司搭载SiCMOSFET的新能源汽车已经试运行,然而仍需要较长时间的验证过程。短期内IGBT依然将凭借其更高的技术成熟度、更低的成本和更广泛的供应渠道占据市场主流。


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